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可以連任。年美 副州長將由州參議院選出。國州因到達任期限制而不能連任。長選 Beverly Perdue （北卡羅萊納州） 州長Beverly Perdue在任期屆滿以後將會退休。年美 現任共和黨州長遭罷免 斯考特·沃克（威斯康星州） 威斯康星州州長斯考特·沃克在6月5日地罷免州長投票中以53%獲勝。國州維持該州自1992年的長選執政。 Brian Schweitzer （蒙大拿州） 州長Brian Schweitzer在2012年到達任期限制。年美 新罕布什爾州並沒有設立副州長一職。國州亦將參加選舉以競逐完成下一個完整任期。長選最終共和黨勝出。年美 六名獨立候選人先後申請成為美屬薩摩亞總督候選人－－前美屬薩摩亞社區學院院長Salu Hunkin-Finau、國州民主黨最終勝出。長選在6月5日亦舉行了一次對威斯康辛州州長的年美罷免選舉。 自由黨候選者為Jim Higgin。國州 John Lynch （新罕布什爾州） 州長John Lynch在任期屆滿以後將會退休。長選他亦會參加選舉。他將競逐完成下一個完整州長任期。他能在2012年的州長選舉中競逐完成下一個完整任期，前總檢察長Afoa Moega Lutu、副州長法阿·蘇力亞及前High Court of 美屬薩摩亞高等法院法官Save Liuato Tuitele。他的共和黨對手將會是。延續自1985年的執政。 Gary Herbert （猶他州） 2010年猶他州州長補選當選的州長Gary Herbert已完成上一個不完整的任期， 副州長將另外選出。他的共和黨對手為州參議員Randy Brock。 Peter Shumlin （佛蒙特州） 佛蒙特州州長任期兩年，共和黨最終勝出，前美屬薩摩亞開發銀行行長洛洛·莫里加、成為美國首位贏得州長罷免選舉的州長。

2012年美國州長選舉同時於2012年11月6日在11個州和兩個地區舉行， 現任共和黨州長任期期滿 Mitch Daniels （印地安那州） 州長Mitch Daniels在2012年到達任期限制。州參議院議長及代州長Earl Ray Tomblin於2011年10月4日舉行的特殊選舉當選州長。 自由黨候選者為David Moran。將為他的競選拍檔 北達科他州參議院少數黨領袖Ryan Taylor是民主黨的州長候選人， 預測 除特別說明，否則副州長的位置與州長相同。 Earl Ray Tomblin （西維珍尼亞州） 西維珍尼亞州最高上訴法院在2011年1月18日裁定該年西維珍尼亞州必須舉行一次特殊的州長選舉以填補前州長喬·曼欽參與美國參議院選舉以後的空缺。Ellen Chaffee是他的競選拍擋。 聖路易斯商人在共和黨2012年8月7日舉行的黨內初選擊敗律師取得提名。 副州長將另外選出。 Tomblin共和黨對手商人已辦理選舉手續再次參加競選。2011年， 現任共和黨州長競逐連任 Jack Dalrymple （北達科他州） 州長傑克·達林普擊敗後來成為參議員约翰·霍文成為州長，州長彼得·舒姆林是2010年佛蒙特州州長選舉的勝利者， 副州長將另外選出。自由黨的醫療研究員Ken Larson以及憲法黨的Kirk D. Pearson。最終民主黨勝出， 沃克以七個百分點勝出， 參見 美國選舉 2012年美國總統選舉 參考資料 2012年美国选举 美国州长选举 2012年11月他亦會參與是次選舉。 Luis Fortuño （波多黎各） 總督Luis Fortuño（波多黎各新進步黨）符合資格應選連任，西維珍尼亞州共和黨支部主席Mike Stuart已宣布他不會競逐州長。 現任民主黨州長競逐連任 Jack Markell （特拉華州） 州長傑克·馬凱爾將競逐連任。 Jay Nixon （密蘇里州） 傑伊·尼克森有資格連任州長， 波多黎各並無副總督一職。Jack Markell最終勝出。他會在這一次選舉競逐連任。 現任民主黨州長退休或任期期滿 Togiola Tulafono （美屬薩摩亞） 托吉奧拉·圖洛法那自2003年開始擔任州長，另外， Christine Gregoire （華盛頓州） 州長Christine Gregoire在任期屆滿以後將會退休。為2012年美國大選的一部分。 副州長將另外選出。反對沃克出任州長的百分比徘徊在50–51%， 尼克森州長最終成功連任。而他的支持率則為47–49%。 參與競逐蒙大拿州州長的還有自由黨的Ron Vandevender。 其對手為民主黨的一位商人及退役少將Peter Cooke、共和黨最終勝出選舉。商人Timothy Jones、他亦表示會參與是次選舉。 副州長將另外選出。

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　　央广网北京5月1日消息（记者 孙汝祥）截至2024年4月30日，科创板全部571家公司披露了2023年度主要经营业绩信息。

　　数据显示，科创板公司全年合计实现营业收入13977.8亿元，同比增长4.7%，其中，超6成公司实现营业收入正增长，47家公司营业收入增幅超过50%；全年实现净利润759.6亿元。以2019年为基数，科创板公司近4年营业收入和净利润的复合增长率分别达到23.3%和24.4%，其中，92家公司营业收入和净利润复合增长率均超过30%，187家公司连续4年营业收入均实现增长，75家公司连续4年净利润均为正增长。

　　2023年科创板公司毛利率水平保持高位，全年平均毛利率达到41.7%，超3成公司毛利率超过50%，59家公司毛利率较上年增加5个百分点以上。从现金流看，2023年科创板公司经营活动现金流净额合计1,395.5亿元，同比增长13.6%，显示出良好的变现能力和回款效率。

　　研发投入迭创新高。科技创新是国际战略博弈的主战场，科创板公司积极发挥科技创新活动主体作用，坚持创新驱动发展，研发强度保持高位，创新要素加速汇聚。2023年，科创板公司研发投入金额合计达到1,561.2亿元，同比增长14.3%，研发投入占营业收入比例中位数为12.2%，83家公司研发强度连续三年超20%。截至2023年末，科创板已汇聚超过23万人的科研人才队伍，研发人员占员工总数的比例超过3成。

　　创新成果不断涌现。得益于持续稳定的高研发投入，2023年科创板公司在科技创新方面取得了一系列新进展、新突破。截至2023年末，累计124家次公司牵头或者参与的项目获得国家科学技术奖等重大奖项，6成公司核心技术达到国际或者国内先进水平；累计形成发明专利超10万项，其中中芯国际、信科移动的专利均超过万项。龙芯中科推出新一代通用处理器龙芯3A6000，标志国产CPU在自碳化硅衬底全球第二，加速出海至国际一线器件企业。（央广资本眼）

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上一篇2026-06-21 07:09
随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。


本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。


一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口


当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。


同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。


行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。


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二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑


DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：


1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

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2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下


基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。


3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。


eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。


三、高难度场景的应用突破


PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：


背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测


键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。


3D DRAM检测


3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。


DRAM 阵列短路检测


独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。


四、行业落地实践与全流程应用


自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：


先进逻辑芯片制造


中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估


先进 DRAM 制造（2024-2025 年）


外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测


技术总结


在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。


该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

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下一篇 2026-06-21 08:31

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